掉电后保存M存储区如果位存储器(MB0到MB13)前14字节中的任何一个被指定为保持，则当S7--200掉电时，这些字节会被保存到yongjiu存储器中。缺省情况下，M存储器的前14位是不保持的。开机后数据的恢复上电之后，S7--200将从yongjiu存储器中恢复程序块和系统块。S7-200将检查可选电池卡(如果有的话)是否正确保存了RAM存储器中的数据。如果数据保存正确，则用户数据存储器的保持区将保持不变。而V存储器的非保持部分将根据yongjiu存储器中的数据块内容来恢复。其他存储区的非保持部分则被清空。如果RAM中的内容已经丢失(比如较长时间的掉电)，则S7--200将清除所有用户数据区，将保持数据丢失存储器位(SM0.2)置位，并读取yongjiu存储器的数据块内容来恢复V存储器，如果M存储器的前14位已预设为保持，则S7--200还将读取yongjiu存储器恢复这些位的内容。通过编程方式将V存储器保存至yongjiu存储器可以将储存在V存储器中的数据(字节、字或双字)存储到yongjiu存储器中。存储到yongjiu存储器中的操作通常增加扫描时间10到15ms。通过保存操作所写入的数据会覆盖先前yongjiu存储器中V存储区的数据。保存至yongjiu存储器的操作并不更新存储卡中的数据。提示由于保存至yongjiu存储器(EEPROM)的操作次数是有限的(Zui少10万次，典型值为100万次)，请注意只在必要时才进行保存操作。否则，EEPROM可能会失效，从而引起CPU故障。一般来说，当特定事件发生时，才执行存储操作，而特定事件是不很频繁发生的。例如，如果S7--200扫描周期为50ms，一个数据在每个扫描周期保存一次，则EEPROMZui短只能工作5,000秒，还不到一个半小时。另一方面，如果一个数据每小时保存一次，则EEPROM至少可以工作11年。